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系统思维
二极管电路
二极管
PN结
杂质半导体
本征半导体
左端阳极
右端阴极
(1)折线模型
(2)恒压降模型
(3)理想模型
常用(2)(3)
PN结面积大
结电容大
允许通过的电流大
适用于整流、稳压等电路
PN结面积小
结电容小
允许通过的电流小
适用于开关电路和高频电路
普通二极管
稳压二极管
光敏二极管
光电二极管
电容二极管
阻碍多子扩散
促进少子漂移
PN结
空间电荷区
耗尽层
正向导通(P+N-)
方向截止(P-N+)
硅:0.6~0.7V左右
锗:0.2~0.3V左右
硅:0.5V左右
锗:0.1V左右
击穿电压
反向击穿区
雪崩击穿
齐纳击穿
热 击 穿
(不可逆)
扩散电容
(正向电压)
势垒电容
(反向电压)
电容很小中
低频不考虑
掺入微量 5 价
元素,例如磷
电子半导体
自由电子多
空穴非常少
杂质半导体不带电,为中性
掺入微量 3 价
元素,例如硼
空穴半导体
空穴多
自由电子非常少
硅
锗
提纯后的半导体99.99%
晶体硅、晶体锗
稳定的空间网状结构
产生自由电
子和空穴对
消失自由电
子和空穴对
自由电子(带负电)
空穴(带正电)
自由电子做定向运动
空穴导电(电子运动)
常温下,本征半导体内载
流子数目少,导电能力弱
可通过掺杂提升导电能力
单相半波整流
单相全波整流
单相桥式整流
单向限幅电路
双向限幅电路
逻辑与门电路
逻辑或门或门
低压稳压
①假设二极管断开
②分析二极管的阴阳极电位
③阳极电位高导通,
反之二极管截止
正向电压差越
大的优先导通
优先导通的二极管可能改
变其他二极管的导通条件
Tina
Multisim
PSPICE
Proteus
......
电路制作
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