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半导体工艺

作者：进击的豆包

0浏览2025-02-24 09:34:54

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半导体工艺

1晶圆制备

流程：

单晶硅生长（拉晶法/区熔法）→切片→研磨抛光→清洗

国内厂商：

沪硅产业（12英寸硅片）

立昂微（8英寸硅片）

山东力冠（HVPE设备突破生长周期至2h/片）

技术壁垒：

硅片纯度要求（<0.1ppb杂质）

大尺寸化（12英寸主流）

单晶生长设备依赖进口

2光刻

流程：

涂胶→曝光（EUV/DUV）→显影→检查

关键材料：

光刻胶（半导体光刻胶占比仅2%，国产化率低）

国内厂商：

上海微电子（光刻机）

南大光电（ArF胶小规模量产）

北京科华（KrF胶量产，EUV研发中）

技术壁垒：

EUV光刻机禁运（ASML垄断）

高端光刻胶市场被日本JSR/东京应化垄断（全球72%份额）

5离子注入

流程：

掺杂→退火处理

国内厂商：

凯世通（离子注入机）

技术壁垒：

能量控制精度要求高（设备国产化率<5%）

6清洗与抛光（CMP）

流程：

化学机械抛光→超纯水清洗

国内厂商：

华海清科（CMP设备）

盛美半导体（清洗设备）

技术壁垒：

表面平整度（<1nm粗糙度）

清洗液配方专利（日本Disco主导）

7封装与测试

流程：

切割→键合（引线/倒装焊）→封装→测试

国内厂商：

长电科技（Fan-Out封装）

通富微电（SiP技术）

青禾晶元（混合键合/C2W技术突破）

技术壁垒：

先进封装技术（3D封装、Chiplet）

测试设备依赖泰瑞达/爱德万

3刻蚀

分类：

干法刻蚀（等离子体）

湿法刻蚀（化学溶液）

国内厂商：

中微公司（5nm介质刻蚀机进入台积电供应链）

北方华创（硅刻蚀机）

技术壁垒：

纳米级精度控制

设备稳定性需长期验证（泛林/应用材料主导）

4薄膜沉积

技术：

CVD（化学气相沉积）

PVD（物理气相沉积）

ALD（原子层沉积）

国内厂商：

沈阳拓荆（CVD设备）

北方华创（PVD设备）

力冠微电子（HVPE设备国产化替代）

技术壁垒：

多层薄膜均匀性

材料兼容性（设备依赖东京电子/应用材料）

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